YUPQA QATLAMLI SHISH GETEROSTRUKTURANING TOK TASHISH MEXANZMI/MO/CЕF3/CDS/
Keywords:
Quyosh fotoelementi, molibden, geterostruktura, VAX, , yarimo'tkazgichli metall oksidlari, polimerlar, yuqori elektr o'tkazuvchanligi va yaxshi optik shaffoflikka ega uglerod tuzilmalari,Abstract
Dunyoda aholi sonining ortishi, va ekologiyaning o’zgarishi qayta tiklanuvchi energiya manbalarga bo’lgan talabning ham ortishiga olib keladi. Aholiga arzon va ekologik toza energiyani uzluksiz yetkazishda quyosh fotoelementlarining o’rni beqiyosdir. Xona haroratida geterostrukturalarning oqim kuchlanish xarakteristikalari o'lchandi. VAX ning chiziqli segmentlarini kuchlanish o'qi bilan kesishmasigacha ekstrapolyatsiya qilish orqali turli haroratlarda getero-birikmaning potentsial to'sig'ining balandligi qiymatlari aniqlandi. Potensial to'siq balandligi βϕ. harorat koeffitsienti aniqlanadi.
References
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы. –М., Сов. радио, 1979. [Пер. сангл.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions. Pergamon Press, 1974].
А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент. –М., Энергоатомиздат, 1987. [Пер. сангл.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion. –N.Y., 1983].
S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of Semiconductor devices. –New Jersey: Wiley, 2007.
A.G. Milnes, D.L. Feucht. Metal-semiconductor Junctions. –N.Y.: Academic Press, 1972.
M.N. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk. “Temperature dependent electrical properties and barrier parameters of photosensitive heterojunctions n-TіN/p-Cd₁₋ₓZnₓTe” // Semicond. Sci. Techn. –2015. –Vol. 30. –№ 7. –Art. 075006.
A.R. Riben, D.L. Feucht. “nGepGaAs Heterojunctions” // Sol. St. Electron. –1966. –Vol. 9. –Issues 11 – 12. –P. 1055 – 1065.
A.R. Riben, D. L. Feucht. “Electrical Transport in nGe-pGaAs Heterojunctions” // Int. J. Electron. –1966. –Vol. 20. –Issue 6. –P 583 – 599.
М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. “Изотипная поверхностно-барьерная гетероструктура n-TiN/n-Si” // Физика и техника полупроводников. –2014. –Т. 48. –Вып. 2. –С. 232 – 236.
Саидов С. О. и др. Aнализ влияния толщины прозрачного проводящего покрытия и температуры отжига на оптические и электрофизические свойства покрытия на примере ZN (AL) O (AZO) //Results of National Scientific Research International Journal. – 2022. – Т. 1. – №. 2. – С. 111-120.
Atoyevich T. A. et al. diod rejimida ulangan maydon tranzistoriga yorug’lik ta’sirini o’rganish //Results of National Scientific Research International Journal. – 2022. – Т. 1. – №. 2. – С. 106-110.
Kamolov J., Saidov S. Селективно-поглощающие покрытия на основе металлокерамических материалов //Science and innovation. – 2022. – Т. 1. – №. A6. – С. 655-663.
Саидов С. О. и др. Вакуумланган қуёш иссиқлик қабул қилгичлар учун селективлик коэффициентини аниқлаш билан композицион қопламаларни ишлаб чиқиш //international scientific research conference. – 2022. – Т. 1. – №. 3. – С. 18-22.
Саидов С. О. и др. Механизм электропроводности собственного полупроводника с точки зрения зонной теории //Pedagogs jurnali. – 2022. – Т. 6. – №. 1. – С. 409-414.
Темиров С. А., ўғли Камолов Ж. Ж. қуёш концентраторини хоссаларини тадқиқ қилиш //Results of National Scientific Research International Journal. – 2022. – Т. 1. – №. 8. – С. 369-376.
Sadikovich N. E. et al. Energy-saving and environmentally friendly technologies for volcanization of elastomeric compositions //Results of National Scientific Research. – 2022. – Т. 1. – №. 2. – С. 101-105.
Амиров Ш. Ё., Нурматов Н. Ж., Камолов Ж. Ж. Oпределение значения энергии ширины запрещенной зоны тонкой пленки ито (Ин2О3/СнО2, 90/10%) С помощью спектрофотометра //Results of National Scientific Research International Journal. – 2022. – Т. 1. – №. 2. – С. 121-125.
Саидов С. О. Cелективно-поглощающие покрытия на основе металлокерамических материалов Камолов Журабек Жалол угли.
Kamolov J., Saidov S. Разработка математической модели нестационарного процесса нагрева и охлаждения тонкой пластинки с керметным покрытием //Science and innovation. – 2022. – Т. 1. – №. A6. – С. 626-635.
Olimovich S. S., Ugli K. Z. J. To Secure Your Paper As Per UGC Guidelines We Are Providing A Electronic Bar Code.
Файзиэв Ш. Ш. и др. Композицион қопламаларнинг акс эттириш спектрларини ўлчаш, селективлик коэффициентини аниқлаш //Science and Education. – 2022. – Т. 3. – №. 4. – С. 401-404.
